Etude analytique d’une cellule solaire à hétérojonction p+ (GaAs)/n (AlxGa1-xAs)/N (Al0.4Ga0.6As)
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Abstract
Afin de réduire les pertes par recombinaison dans la zone de charge d’espace pour les cellules GaAs, nous proposons une structure p+ (GaAs)/ n (AlxGa1-xAs)/ N (Al0.4Ga0.6As) avec une interface à bande interdite graduelle entre l’émetteur p+ (GaAs) et la base N (Al0.4Ga0.6As). Le courant de recombinaison dans une telle cellule est discuté, ainsi que l’influence de ce courant sur les caractéristiques photovoltaïques. L’épaisseur de la couche à bande interdite graduelle n (AlxGa1- xAs) a été étudié, il est de l’ordre de 800 à 900 Å.
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