Influence d’une onde électromagnétique sur une photopile au silicium sous éclairement multi spectral en régime statique

Abstract

Dans ce travail, nous étudions l’influence d’une onde électromagnétique produite par une source de télécommunication (antenne émettrice) de puissance donnée sur le comportement d’une photopile en régime statique, éclairée par une lumière blanche et placée à une certaine distance de l’antenne. Après la résolution de l’équation de continuité des porteurs minoritaires de charge en présence du champ électromagnétique, nous établissons de nouvelles expressions de la densité des porteurs minoritaires de charge, de la densité de photo courant, de la vitesse de recombinaison à la face arrière de la base et de la photo tension, toutes dépendantes du champ électromagnétique. La densité des porteurs minoritaires de charge, la densité de photo courant, la vitesse de recombinaison à la face arrière de la base et la photo tension sont étudiées en fonction de l’intensité du champ électromagnétique elle-même fonction de la distance séparant la photopile de la source de production des ondes électromagnétiques. Afin de mieux caractériser la photopile, nous étudions la puissance électrique délivrée par la base de la photopile au circuit de charge extérieur en fonction de l’intensité du champ électromagnétique et nous déduisons le rendement de conversion de la photopile.